產(chǎn)品名稱(chēng)：原裝奧林巴斯美國泛美45MG超聲波測厚儀

產(chǎn)品名稱(chēng)：超聲波測厚儀

型號規格：45MG 

品牌廠(chǎng)家：美國泛美/Olympus奧林巴斯 

美國泛美/Olympus奧林巴斯45MG超聲測厚儀的產(chǎn)品介紹：

45MG儀器是一款帶有各種標準測量功能和軟件選項的超聲測厚儀。這款儀器與所有Olympus雙晶和單晶測厚探頭兼容。

標準功能

45MG儀器在使用基本配置時(shí)，是一款易懂易學(xué)、操作簡(jiǎn)便的測厚儀，操作人員經(jīng)過(guò)基本的培訓，就可完成常用的測厚應用。不過(guò)，45MG儀器添加了可選軟件選項和探頭后，可以進(jìn)行典型的初級儀器不能完成的應用。此外，大多數選項可以在購買(mǎi)儀器時(shí)分別購買(mǎi)，或在日后需要時(shí)購買(mǎi)。

與所有Olympus雙晶探頭兼容，可對內部腐蝕的金屬的厚度進(jìn)行測量

小值/大值模式

兩個(gè)報警模式

差值模式

時(shí)基B掃描

縮減率

增益調整（標準、高、低）

密碼式儀器鎖定

美國泛美/Olympus奧林巴斯45MG超聲測厚儀的技術(shù)規格:

測量 

雙晶探頭測量模式 從激勵脈沖后的延遲到個(gè)回波之間的時(shí)間間隔。 

自動(dòng)回波到回波（可選） 在兩個(gè)連續底面回波之間的時(shí)間間隔，不計漆層或涂層的厚度。 

穿透涂層測量 （可選） 利用單個(gè)底面回波，測量金屬的實(shí)際厚度和涂層厚度（使用D7906-SM和D7906探頭） 

單晶探頭測量模式（可選） 模式1：激勵脈沖與個(gè)底面回波之間的時(shí)間間隔。 

模式2：延遲塊回波與個(gè)底面回波之間的時(shí)間間隔（使用延遲塊或水浸式探頭） 

模式3：在激勵脈沖之后，位于個(gè)表面回波后的相鄰底面回波之間的時(shí)間間隔（使用延遲塊探頭或水浸式探頭）。 

厚度范圍 0.080 mm～635 mm（0.003 in.～25.0 in.）視材料、探頭、表面條件、溫度和所選配置而定（要測量全的范圍需要使用單晶選項） 

材料聲速范圍 0.508 mm/μs～18.699 mm/μs（0.020 in./μs～0.7362 in./μs） 

分辨率（可選擇） 低分辨率：0.1毫米（0.01英寸） 

標準分辨率：0.01毫米（0.001英寸） 

單晶選項：0.001毫米（0.0001英寸） 

探頭頻率范圍 標準：2.25 MHz～30 MHz（-3 dB）高穿透（單晶選項）：0.50 MHz～30 MHz（-3 dB） 

一般規格 

操作溫度范圍 -10 °C～50 °C（14 °F～122 °F） 

鍵盤(pán) 密封、以色彩區分功能的鍵盤(pán)，帶有觸感及聲音反饋 

機殼 防撞擊、防水、裝有密封墊的機殼，機殼上的接口密封。設計符合IP67標準。 

外型尺寸（寬 x 高 x 厚） 總體尺寸：91.1 mm x 162 mm x 41.1 mm 

重量 430.9克 

電源 3節AA電池/USB電源供應 

電池工作時(shí)間 3節AA堿性電池：20到21小時(shí) 

3節AA鎳氫電池：22到23小時(shí) 

3節AA鋰離子電池：35到36小時(shí) 

標準 設計符合EN15317標準 

顯示 

彩色透反QVGA顯示 液晶顯示，顯示屏尺寸：54.61毫米 x 41.15毫米 

檢波 全波、RF波、正半波、負半波（波形選項） 

輸入/輸出 

USB 2.0從接口 

存儲卡 大容量：2 GB可插拔MicroSD存儲卡 

內置數據記錄器（可選） 

數據記錄器 45MG通過(guò)USB或MicroSD卡識別、存儲、調用、**及傳輸厚度讀數、波形圖像和儀器配置信息。 

容量 475000個(gè)厚度測量讀數，或20000個(gè)帶厚度值的波形 

文件名稱(chēng)和ID編碼 32位字符的文件名，20位字符的字母數字位碼 

文件結構 6個(gè)標準的或自定義的用于特定應用的文件結構 

報告 機載報告總結了數據統計和小值/大值 

美國泛美/Olympus奧林巴斯45MG超聲測厚儀標準配置:

45MG數字式超聲測厚儀

AA堿性電池

2階試塊和耦合劑

USB線(xiàn)纜

用戶(hù)手冊，存于CD盤(pán)上

美國泛美/Olympus奧林巴斯超聲測厚儀可選探頭：

具有自動(dòng)識別功能的探頭

27MG儀器與我們公司生產(chǎn)的可互換式雙晶探頭系列的所有產(chǎn)品兼容。這些探頭的頻率、直徑及適應溫度的能力各不相同，可滿(mǎn)足幾乎所有應用的要求。

*取決于材料、探頭類(lèi)型、表面條件和溫度。 整個(gè)范圍可能需要增益調整。 **高溫度下，僅使用間歇接觸。